的。

    和DAPCVD法被报道的时间，仅相隔一年。

    这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。

    这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器，将2~5W的矩形微波进行导转换，在大气压下形成等离子体。

    而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上，继而形成金刚石薄膜。

    和DAPCVD法使用的气源相同，主要是氩气，反应气体是甲烷和氢气。

    现如今，这种方法已经形成了多种形式。

    不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。

    它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。

    举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μmh的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μmh的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μmh的速率沉积光学级金刚石薄膜。

    而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μmh。

    也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

    除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

    在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μmh的多晶金刚石薄膜。

    如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μmh的单晶金刚石薄膜。

    “气体压力……”

    “微博功率……”

    陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。

    拿笔点了两下，随手便划了两个圈。

    这是重点。

    放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。

    MPCVD法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。

    很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。

    此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。

    而且MPCVD法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。

    可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。

    但是，就像四十三所实验室的装置一样，MPCVD法的沉积速率是硬伤。

    看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后，陈舟不禁想到。

    “如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制备质量，那这事不就成了吗？”测试广告2