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    成永兴在学习之余，有了一个新工作，那就是陪聊。

    每天，他都要抽出一两个小时，守在电话机前，与远方的技术人员，不断探讨。

    没有网络的时代，传真和电话，算是最先进的通讯工具了。

    被科仪带走的几张图纸，就是摸cvd的设计简图。

    摸cvd的全称是，金属有机化合物化学气相淀积。这个中文名字，其实比英文名更加难以理解。

    这里面涉及太多的名词了，包括，气相，外延等关键字，每个都足以做为一个学科存在。

    这个东西，原理解释起来很复杂，但实际反应过程并不复杂。整反应个过程，跟电镀有点像，但介质不是液体，而是气体。

    如果非要解释，那就是在一个特殊的环境里，两种气体在空中发生化学反应，反应的生成物会被吸附到被加热的物体表面，进而被固化成为物体表面的一部分。

    大家还是找个视频看吧。用文字，嗯，可以水一万字，还解释不清。

    这种设备是蓝光led生产的关键节点，具有相当多的优点：设备简单；反应气体可精确调控；薄膜的厚度可精确调控；低气压外延生长可减小非故意掺杂；薄膜更大更均匀、适宜批量生产等。

    任何一种技术，都不是凭空产生的。摸cvd的前身，是气相外延生长(vpe)。而现在的vpe技术，只有美国有，而且属于禁运技术的一种。

    所以，从常理来说，中国是绝对不会存在摸cvd出现土壤的。

    而中村之所以成功，就是从美国进口了一台vpe。在此设备的基础之上，他又进行了改造，终于建成了自己的摸cvd。

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    成永兴之所以对此技术有所了解，主要来自于一些厂家的产品宣传广告。这些技术属于保护专利，所以他们就大大方方的把技术，做成动画，做成视频，到处去宣传。

    摸cvd的技术含量，说高，挺高，否则这种设备也不会出现在禁运清单里。

    但是制造难度真的很大吗？

    有的时候，出名不是什么好事，如果蓝光led没有拿诺贝尔奖，今天什么事情都不会有。

    正是蓝光led的争议性，故事性，使得相关的科普文章铺天盖地。

    在听到蓝光led诺贝尔奖新闻的时候，成永兴对着这个东西的设计简图，还有一堆厂家宣传视频，是左看，右看，前看，后看，就是搞不明白这个东西，为啥会值得禁运。

    这个东西，充其量，算是一个高温反应容器。

    尤其不考虑连续生产的时候，构造更简单了。这个东西跟现在正在进行的大化工项目，使用的设备和坛坛罐罐，所要求的技术参数，明显不是一个量级的。

    江浙一代，大量的led企业，使用的都是国产设备，不也用得好好的？

    随便一搜索，网上有大量关于摸cvd的论文。

    无数人通过这个东西，拿到了博士，硕士学位。而且这个趋势已经向本科论文转换了。

    难道真是应了那句？

    什么东西，只要被兔子万能的山寨厂看一眼，就会被复制？

    如果是这个原因，倒也应该禁运。

    也许，中国半导体设备技术发展的最大障碍，并不仅仅是制造技术，还包括了大量的专利。

    很多技术都被别人注册过了，你看到了也不能用！

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    不过，这里面也存在另一种的解读：难度。

    中村之所以能够在led技术上取得突破，就是他创造性的使用了腔体内加热技术。这使得整个反应室的制造技术，反应控制等，难度有了指数型的下降。

    在此工艺改良之前，反应室，甚至配管及出气口，都是石英的。跟金属的易加工相比，用石英做一个高温反应容器，其难度可想而知。

    正是这个改良，导致中村以个人的能力，也可以独立完成接下来的工作。

    在当下这个时间节点，同样的改良技术，也带给了国人以弯道超车的可能。

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    这些宣传视频里的内容，新闻大肆报道的内容，就被成永兴所用，并不断的通过电话和传真，传到千里之外。

    这次